सवाल राम को अस्थिर क्यों होना चाहिए?


यदि कंप्यूटर रैम अन्य लगातार स्टोरेज की तरह अस्थिर होना था, तो बूटअप समय जैसी कोई चीज़ नहीं होगी। तो गैर अस्थिर राम मॉड्यूल रखने के लिए यह संभव नहीं है? धन्यवाद।


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2017-08-30 10:03


मूल


इस सवाल का पूरा जवाब है लेकिन टी लगता है कि अस्थिर स्मृति बहुत धीमी है। - mveroone
आपने इसे क्या सोचा कर देता है अस्थिर होना चाहिए ?? यह 40 साल पहले नहीं था। - Daniel R Hicks
राम अस्थिर है नहीं क्योंकि यह होना है अस्थिर, ऐसा इसलिए है क्योंकि यह तकनीक का उपयोग किया जाता है है अस्थिर। - Alvin Wong
@ jhocking क्योंकि तुलनात्मक प्रदर्शन की कोई गैर-अस्थिर तकनीक उपलब्ध नहीं है। - Dan Neely
मान लीजिए कि मैं अब से 2 साल से पूछता हूं: आपको याद क्यों नहीं आया कि आपने सोडा के आखिरी स्वाद को क्या कहा था, इससे पहले कि आप इस सवाल से पूछें? - Erik Reppen


जवाब:


जब अधिकांश लोग "राम" पढ़ते या सुनते हैं, तो वे इन चीजों के बारे में सोचते हैं:

Two SDRAM sticks, courtesy of Wikipedia

असल में ये डीआरएएम चिप्स से बने होते हैं, और यदि डीआरएएम एक प्रकार की रैम है तो यह विवादास्पद है। (यह "असली" रैम होता था, लेकिन तकनीक बदल गई थी और अगर यह रैम है या नहीं, तो यह धार्मिक मान्यता है, टिप्पणियों में चर्चा देखें।)

राम एक व्यापक शब्द है। यह "यादृच्छिक अभिगम स्मृति" के लिए खड़ा है, यह किसी भी प्रकार की स्मृति है जिसे किसी भी क्रम में एक्सेस किया जा सकता है (जहां "एक्सेस किया गया" मेरा मतलब है या पढ़ा गया है, लेकिन कुछ प्रकार की रैम केवल पढ़ने के लिए हो सकती है)।

उदाहरण के लिए एचडीडी एक यादृच्छिक अभिगम स्मृति नहीं है, क्योंकि जब आप दो बिट्स को पढ़ने की कोशिश करते हैं जो आसन्न नहीं हैं (या आप उन्हें किसी भी कारण से रिवर्स ऑर्डर में पढ़ रहे हैं) तो आपको प्लेटर्स को घूमने और हेडर के लिए इंतजार करना होगा हिलाने के लिए। केवल अनुक्रमिक बिट्स के बीच अतिरिक्त संचालन के बिना पढ़ा जा सकता है। यही कारण है कि डीआरएएम को गैर-रैम माना जा सकता है - यह ब्लॉक में पढ़ा जाता है।

यादृच्छिक अभिगम स्मृति के कई प्रकार हैं। उनमें से कुछ अस्थिर नहीं हैं और यहां तक ​​कि केवल पढ़ने वाले भी हैं, उदाहरण के लिए रोम। तो गैर अस्थिर रैम मौजूद है।

हम इसका इस्तेमाल क्यों नहीं करते? गति सबसे बड़ी समस्या नहीं है उदाहरण के लिए एनओआर फ्लैश मेमोरी को डीआरएएम जितनी जल्दी पढ़ा जा सकता है (कम से कम यही है विकिपीडिया कहते हैं, लेकिन उद्धरण के बिना)। लिखना गति खराब है, लेकिन सबसे महत्वपूर्ण मुद्दा यह है:

गैर-अस्थिर स्मृति की आंतरिक वास्तुकला के कारण, उन्हें पहनना होगा। लेखन-और-मिटा चक्रों की संख्या 100,000-1,000,000 तक सीमित है। यह एक बड़ी संख्या की तरह दिखता है और यह आमतौर पर गैर-अस्थिर भंडारण के लिए पर्याप्त होता है (पेंड्रीव्स अक्सर इसे तोड़ नहीं देते हैं, है ना?), लेकिन यह एक मुद्दा है जिसे एसएसडी ड्राइव में पहले ही संबोधित किया जाना था। रैम एसएसडी ड्राइव की तुलना में अधिक बार लिखा जाता है, इसलिए यह पहनने के लिए अधिक प्रवण होगा।

ड्रम बाहर नहीं पहनता है, यह तेज़ और अपेक्षाकृत सस्ता है। एसआरएएम भी तेज है, लेकिन यह भी अधिक महंगा है। अभी सीपीयू में कैशिंग के लिए इसका इस्तेमाल किया जाता है। (और यह वास्तव में बिना किसी संदेह के राम है;))


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2017-08-30 10:58



सही ढंग से रोम बताते हुए 0.1% लोगों के साथ रहने के लिए +1 भी राम है! (बताते हुए डी-रैम रैम नहीं है हालांकि थोड़ा चरम है ...) - jlliagre
लेकिन मूल डिस्क ड्राइव को "रैम" के रूप में जाना जाता था (क्योंकि दूसरा विकल्प टेप था)। यदि इतिहास प्राथमिकता निर्धारित करता है, डीएएसडी (जो आप युवाओं को एचडीडी के रूप में संदर्भित करते हैं) निश्चित रूप से राम है। - Daniel R Hicks
@DanielRHicks यह दिलचस्प है। शायद "रैमनेस" बाइनरी नहीं है: डीआरएएम है कम यादृच्छिक एसआरएएम की तुलना में, डीडीएएम की तुलना में एचडीडी कम यादृच्छिक हैं और इसी तरह। - gronostaj
यदि आप किसी भी स्मृति को यादृच्छिक पहुंच कहते हैं जहां यादृच्छिक स्थान तक पहुंच केवल तभी होती है O(1) वर्तमान स्थिति के बावजूद आकार के मामले में समय तो डीआरएएम यादृच्छिक पहुंच है, एक एचडीडी में प्रवेश है O(#tracks+rotation_time) जो आकार के लिए बदलता है - ratchet freak
"रैम" मुझे विश्वास था (मुझे एक अच्छा संदर्भ नहीं मिल रहा है) के विरोध में व्युत्पन्न क्रमबद्ध स्मृति (चुंबकीय या कागज टेप; पारा देरी लाइनें) जो कर सकता था केवल क्रम में पहुंचा जा सकता है। इस बीच, मुझे अन्य भाषाओं में "रैम" के लिए शर्तों पर एक अवसाद मिला: smo.uhi.ac.uk/~oduibhin/tearmai/etymology.htm जो रैम / रोम अंतर के विभिन्न पहलुओं पर जोर देती है। - pjc50


भौतिकी के कारण यह गहराई से है।

किसी भी गैर-अस्थिर स्मृति को दो बिटों में अपनी बिट्स को स्टोर करना होगा, जिनमें उनके बीच बड़ी ऊर्जा बाधा हो, या फिर सबसे छोटा प्रभाव थोड़ा बदल जाएगा। लेकिन जब उस स्मृति को लिखते हैं, तो हमें सक्रिय रूप से उस ऊर्जा बाधा को दूर करना होगा।

उन ऊर्जा बाधाओं को स्थापित करने में डिजाइनर की कुछ स्वतंत्रता है। इसे कम सेट करें 0 . 1, और आपको स्मृति मिलती है जिसे बहुत गर्मी पैदा किए बिना बहुत कुछ लिखा जा सकता है: तेज़ और अस्थिर। ऊर्जा बाधा उच्च सेट करें 0 | 1 और बिट्स लगभग हमेशा के लिए रखे रहेंगे, या जब तक आप गंभीर ऊर्जा खर्च नहीं करेंगे।

डीआरएएम छोटे कैपेसिटर का उपयोग करता है जो रिसाव करता है। बड़े कैपेसिटर कम रिसाव करेंगे, कम अस्थिर हो जाएंगे, लेकिन अधिक शुल्क लेते हैं।

फ्लैश इलेक्ट्रॉनों का उपयोग करता है जिन्हें उच्च वोल्टेज पर एक पृथक में गोली मार दी जाती है। ऊर्जा बाधा इतनी ऊंची है कि आप उन्हें नियंत्रित तरीके से बाहर नहीं निकाल सकते हैं; एकमात्र तरीका बिट्स के पूरे ब्लॉक को साफ करना है।


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2017-08-30 15:23



बहुत बढ़िया जवाब! आपने वास्तव में उत्तर दिया क्यूं कर इसका और आसानी से समझने में आसान नहीं है। - Synetech
स्वीकृत उत्तर वास्तव में प्रश्न का उत्तर नहीं देता है, जबकि यह करता है। - Mark Adler
आप शायद इसका उल्लेख करने से बचें क्योंकि यह है बहुत "भौतिकी में गहराई", लेकिन मैं कहना चाहूंगा कि अवरोध ऊर्जा से कम है एन्ट्रापी। एसआरएएम में डीआरएएम की तुलना में छोटे कैपेसिटर भी हैं और फिर भी रिसाव नहीं करते हैं, क्योंकि यह प्रतिरोधकों के बजाय क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर का उपयोग करता है - जो, अस्पष्ट रूप से बोलते हुए, बाहरी रूप से आपूर्ति किए गए वोल्टेज थ्रेसहोल्ड के माध्यम से थर्मल शोर से हस्तक्षेप को बाईपास करते हैं। भविष्य में केवल कुछ ही मर जाते हैं, हम हस्तक्षेप पर एक और प्रकार तक पहुंचेंगे - क्वांटम सुरंग - जहां वास्तविक ऊर्जा बाधा शास्त्रीय जानकारी को संरक्षित करने का एकमात्र तरीका होगा। - leftaroundabout
@ बाएंराउंडबाउट: एसआरएएम में परजीवी और शायद कुछ शोध डिज़ाइन को छोड़कर कैपेसिटर नहीं हैं। - MSalters
@ बाएंराउंडबाउट: न तो एसआरएएम और न ही ड्रम थोड़ी देर के लिए थोड़ी देर के लिए थोड़ी देर के लिए कुछ स्टोर कर सकते हैं (एक 0.2 वापस एक कुरकुरा 0 बिट में बदलना)। एसआरएएम सिर्फ यह करता है जबकि डीआरएएम इसे एक पुनः लिखने चक्र में करता है। - MSalters


यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि कंप्यूटरों में पहली बार इस्तेमाल किया जाने वाला "मुख्य स्टोर" "कोर" था - एक सरणी में व्यवस्थित फेराइट सामग्री के छोटे टोरिओड, तार के साथ 3 दिशाओं में चल रहा है।

1 लिखने के लिए आप मूल एक्स और वाई तारों के माध्यम से कोर को "फ्लिप" करने के लिए बराबर ताकत दालें भेज देंगे। (शून्य लिखने के लिए आप नहीं करेंगे।) आपको लिखने से पहले स्थान मिटा देना होगा।

पढ़ने के लिए आप 1 लिखने की कोशिश करेंगे और देखेंगे कि "भावना" तार पर एक संबंधित पल्स उत्पन्न हुआ था - यदि ऐसा है तो स्थान हुआ करता था एक शून्य तो आपको निश्चित रूप से डेटा वापस लिखना होगा, क्योंकि आप इसे मिटा देंगे।

(यह है एक थोड़ा सरलीकृत विवरण, ज़ाहिर है।)

लेकिन सामान अस्थिर था।  आप कंप्यूटर को बंद कर सकते हैं, इसे एक हफ्ते बाद शुरू कर सकते हैं, और डेटा अभी भी वहां होगा। और यह निश्चित रूप से "राम" था।

("कोर" से पहले अधिकांश कंप्यूटर सीधे चुंबकीय "ड्रम" से संचालित होते हैं, केवल सीपीयू मेमोरी के कुछ रजिस्टरों के साथ, और भंडारण सीआरटी जैसे कुछ उपयोग किए गए सामान।)

तो, इसका जवाब क्यों है कि राम (इसके वर्तमान, सबसे आम रूप में) अस्थिर है बस यह कि सस्ता और तेज़ है। (इंटेल, दिलचस्प रूप से पर्याप्त था, था  सेमीकंडक्टर रैम के विकास में शुरुआती नेता, और केवल अपने रैम के लिए बाजार उत्पन्न करने के लिए सीपीयू व्यवसाय में शामिल हो गए।)


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2017-08-30 11:45



कोर-आधारित कंप्यूटर्स आमतौर पर डिज़ाइन किए गए थे ताकि एक अप्रत्याशित पावर विफलता के बाद वे (जब बिजली फिर से लागू की गई हो) फिर से शुरू हो जाएंगे, जहां उन्होंने छोड़ा था? मेरा अनुमान यह होगा कि अगर किसी ने "शट डाउन" प्रक्रिया की है तो कोई सिस्टम सिस्टम में रुचि के सब कुछ को बचा सकता है और फिर बिजली हटा दिए जाने तक एनओपी निष्पादित करना शुरू कर सकता है; अगर किसी को पुनरारंभ करते समय उचित प्रक्रिया का उपयोग किया जाता है, तो कोई सिस्टम सिस्टम को पुनर्स्थापित कर सकता है। क्या आपको पता है कि बाहरी शक्ति खो जाने पर सिस्टम को आमतौर पर शटडाउन प्रक्रिया को ट्रिगर करने का साधन था? यदि कोर-आधारित सिस्टम थे ... - supercat
... बिजली की विफलता के कारण काम करना बंद कर दिया और बिजली को पूरी तरह खो जाने से पहले प्रगति पर चल रहे किसी भी परिचालन को पूरा करने का मौका नहीं मिला, मैं उम्मीद करता हूं कि स्मृति की जो भी इकाई पर काम किया जा रहा है, वह खो जाएगा; आगे, क्योंकि मैं उम्मीद करता हूं कि प्रोग्राम काउंटर, अनुक्रमक इत्यादि कोर मेमोरी में नहीं रखे जाएंगे, उन की सामग्री भी खो जाएगी। - supercat
@supercat - डिजाइन की एक विस्तृत विविधता थी। मुख्य रूप से फ़ाइल सिस्टम की अखंडता को बनाए रखने के लिए केंद्रित प्रयास, इसलिए क्रैश रिकवरी संभवतः उन फाइल ऑपरेशंस को खोजने का प्रयास करने की संभावना थी जो प्रगति पर थे और उन्हें पूरा करते थे। लेकिन मुझे याद है कि बिजली की विफलता का पता लगाने और सीपीयू रजिस्टरों को छेड़छाड़ करना काफी आम था। - Daniel R Hicks
यदि स्मृति फ़ाइल फ़ाइल के रूप में उपयोग किया जा रहा है, तो मैं उम्मीद करता हूं कि कोड यह सुनिश्चित कर सकता है कि यह हमेशा एक मान्य स्थिति में होगा, जैसे कि किसी भी बाधित ऑपरेशन को या तो वापस ले जाया जा सकता है या पूरा होने के लिए चलाया जा सकता है। दूसरी तरफ, मेरी समझ से कोर मेमोरी का उपयोग अक्सर नहीं किया जाता था इसलिये यह अस्थिर था, बल्कि इसलिए कि यह किसी भी विकल्प से सस्ता था, इसलिए मैं उत्सुक हूं कि किस हद तक डिजाइनरों ने अस्थिरता का लाभ उठाया या इसे अनदेखा किया। - supercat
@supercat - उन्होंने इसका काफी फायदा उठाया (और इसलिए, उदाहरण के लिए, फाइल सिस्टम अस्थिर रैम के लिए पसंद किए जाने से कम मजबूत थे)। यह नहीं कि यह एक बड़ा "बिक्री बिंदु" था, लेकिन यह वहां था, तो क्यों नहीं? - Daniel R Hicks


DRAM तेज़ है, अत्यधिक उच्च घनत्व (कम $ / एमबी और सेमी) के लिए सस्ते में बनाया जा सकता है2/ एमबी), लेकिन जब तक अक्सर ताज़ा नहीं किया जाता है तब तक इसकी स्थिति खो जाती है। इसका बहुत छोटा आकार समस्या का हिस्सा है; पतली दीवारों के माध्यम से इलेक्ट्रॉन बाहर निकलते हैं।

SRAM बहुत तेज़, कम सस्ता (उच्च $ / एमबी) और कम घना है, और इसे ताज़ा करने की आवश्यकता नहीं है, लेकिन सत्ता में कटौती के बाद इसकी स्थिति खो जाती है। एसआरएएम निर्माण का उपयोग "एनवीआरएएम" के लिए किया जाता है, जो रैम एक छोटी बैटरी से जुड़ा हुआ है। मेरे पास कुछ सेगा और निंटेंडो कारतूस हैं जिनमें एनवीआरएएम में संग्रहीत दशकों पुरानी बचत राज्य हैं।

EEPROM (आमतौर पर "फ्लैश" के रूप में) गैर-अस्थिर, लिखने में धीमा, लेकिन सस्ता और घना होता है।

FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक रैम) नई पीढ़ी की स्टोरेज टेक्नोलॉजीज में से एक है जो उपलब्ध हो रही है जो आप चाहते हैं: तेज़, सस्ता, nonvolatile ... लेकिन अभी तक घना नहीं है। आप एक प्राप्त कर सकते हैं टीआई माइक्रोकंट्रोलर जो इसका उपयोग करता है और जो व्यवहार आप चाहते हैं उसे बचाता है। बिजली काटना और इसे बहाल करने से आप फिर से शुरू कर सकते हैं जहां आपने छोड़ा था। लेकिन इसमें केवल 64 किलोबाइट हैं। या आप प्राप्त कर सकते हैं 2 एमबी सीरियल फ्रेम

FRAM के समान गुण वितरित करने के लिए "मेम्रिस्टर" तकनीक का शोध किया जा रहा है, लेकिन अभी तक वास्तव में एक वाणिज्यिक उत्पाद नहीं है।


संपादित करें: ध्यान दें कि यदि आपके पास रैम-सतत प्रणाली है, तो आपको या तो इसे अद्यतन करने की आवश्यकता है जब यह कभी-कभी पुनरारंभ करने की आवश्यकता को चलाता है या स्वीकार करता है के बिना अपना पूरा काम खोना वहां कई प्री-स्मार्टफोन पीडीए थे जो एनवीआरएएम में अपने सभी डेटा संग्रहीत करते थे, जिससे बैटरी चालू हो जाती है और आपको बैटरी के फ्लैट होने पर आपके सभी डेटा की संभावित तत्काल हानि मिलती है।


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2017-08-30 12:55



ये मेम्रिस्टर प्रौद्योगिकी, इन "नए" उपकरणों के आधार पर अच्छे उत्पादों को देखने से पहले यह कम से कम 10 वर्ष या उससे अधिक हो जाएगा। लेकिन उन्हें स्मृति कार्यान्वयन के लिए वादे का एक टन होना चाहिए। - Chris O
डीआरयूएम तेज है, लेकिन बहुत घना नहीं है, और प्रति चरित्र लागत अधिक है। (क्या ?? ड्रम ??? कोई बात नहीं।) - Daniel R Hicks
एनवीआरएएम बैटरी समर्थित एसआरएएम जैसा नहीं है। एनवीआरएएम में प्रति कैपेसिटर होता है जिसे पर्याप्त रूप से इन्सुलेट किया जा सकता है कि कोई भी शुल्क रिसाव नहीं करता है, लेकिन इसे भी महसूस किया जा सकता है, और प्रोग्राम किया जा सकता है। बिट सेल संरचना काफी बड़ी है, और कुछ प्रौद्योगिकियों में अधिक विदेशी फैब कदम शामिल हैं, इसलिए एनवीआरएएम एक कम घनत्व वाली उच्च लागत वाली तकनीक है। लेकिन यह भी बहुत लंबे भंडारण जीवनकाल है। निष्क्रिय होने पर सीएमओएस एसआरएएम बहुत कम शक्ति खींचता है, और बैटरी के साथ इसका समर्थन करना लागत प्रभावी है। एक बार आम पीसी "सीएमओएस" डिवाइस एक उदाहरण है। - RBerteig
एसआरएएम + बैटरी असेंबली एक असली एनवीआरएएम नहीं है। सही एनवीआरएएम ईईपीरोम पर बनाया गया। - user539484
@RBerteig: मेरी समझ यह है कि एक एनवीआरएएम एक गैर-अस्थिर दुकान के साथ एक एसआरएएम का विवाह है और एक पर्याप्त पर्याप्त ऊर्जा भंडारण माध्यम है जो एसआरएएम को बिना अस्थिर शक्ति के गैर-अस्थिर दुकान में कॉपी करने की अनुमति देता है। यदि एसआरएएम और गैर-वाष्पशील स्टोर अलग-अलग चिप्स में थे, तो एक दूसरे को स्थानांतरित करने में थोड़ी देर लग जाएगी (और बहुत सारी ऊर्जा का उपभोग करें)। उन्हें एक साथ शादी करने से हस्तांतरण बहुत तेज हो जाता है। - supercat


आईएमओ यहां मुख्य समस्या वास्तव में अस्थिरता है। तेजी से लिखने के लिए, लेखन आसान होना चाहिए (यानी समय की विस्तारित अवधि की आवश्यकता नहीं है)। यह रैम चुनते समय आप क्या देखना चाहते हैं इसके विपरीत: यह तेज़ होना चाहिए।

रोज़ाना समानता: - एक व्हाइटबोर्ड पर कुछ लिखना बहुत आसान है और कोई प्रयास नहीं करता है। इसलिए यह तेज़ है और आप पूरे बोर्ड में सेकंड के भीतर स्केच कर सकते हैं। - हालांकि, व्हाइटबोर्ड पर आपके स्केच बहुत अस्थिर हैं। कुछ गलत आंदोलन और सबकुछ खत्म हो गया है। - कुछ पत्थर की प्लेट लें और वहां अपने स्केच को उत्कीर्ण करें - जैसे फ्लिंटस्टोन शैली - और आपका स्केच आने वाले वर्षों, दशकों या संभवतः सदियों तक वहां रहेगा। लिखना हालांकि बहुत लंबा लगता है।

कंप्यूटर पर वापस जाएं: लगातार डेटा स्टोर करने के लिए फास्ट चिप्स का उपयोग करने वाली तकनीक पहले से ही (फ्लैश ड्राइव की तरह) है, लेकिन अस्थिर रैम की तुलना में गति अभी भी बहुत कम है। कुछ फ्लैश ड्राइव पर नज़र डालें और डेटा की तुलना करें। आपको "200 एमबी / एस पर पढ़ने" और "50 एमबी / एस पर लिखना" जैसे कुछ मिल जाएगा। यह काफी अंतर है। बेशक, उत्पाद की कीमत में कुछ खेल है, हालांकि, सामान्य पहुंच का समय अधिक पैसा खर्च करने में सुधार कर सकता है, लेकिन पढ़ना अभी भी लिखने से तेज होगा।

"लेकिन BIOS चमकाने के बारे में कैसे? यह बनाया गया है और तेज़!" आप पूछ सकते हैं आप सही हैं, लेकिन क्या आपने कभी एक BIOS छवि चमक दी है? BIOS के माध्यम से बूट करने में केवल क्षण लगते हैं - अधिकांश समय बाहरी हार्डवेयर की प्रतीक्षा में बर्बाद हो जाता है - लेकिन वास्तविक चमक में मिनट लग सकते हैं, भले ही यह केवल कुछ KByte जला / लिखने के लिए हो।

हालांकि, इस मुद्दे के लिए कामकाज हैं, उदा। विंडोज़ 'हाइबरनेट सुविधा। रैम सामग्री गैर-अस्थिर भंडारण (जैसे एचडीडी) और बाद में पढ़ने पर वापस लिखी जाती है। नेटबुक पर कुछ BIOS एक सामान्य एचडीडी विभाजन का उपयोग कर सामान्य BIOS कॉन्फ़िगरेशन और सेटिंग्स के लिए समान सुविधाएं प्रदान करते हैं (इसलिए आप अनिवार्य रूप से ठंडे बूटों पर भी BIOS सामान छोड़ सकते हैं)।


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2017-08-30 10:20





मुख्य रूप से के कारण विरोधाभासी नियम कायदों में फंसना। यदि आपका डीआरएएम (जैसा कि पहले से कहा गया है, राम बहुत व्यापक शब्द है। आप किस बारे में बात कर रहे हैं उसे बुलाया जाता है DRAM, साथ में डी गतिशील के लिए) अचानक अस्थिर हो जाते हैं, लोग इसे कॉल करेंगे NVRAM जो भंडारण के बहुत अलग प्रकार है।

एक व्यावहारिक कारण भी है, वर्तमान में कोई एनवीआरएएम (मेरा मतलब सही ईईपीरोम-आधारित एनवीआरएएम है, जिसमें कोई भी बिजली स्रोत आवश्यक नहीं है) प्रकार मौजूद हैं जो हार्डवेयर गिरावट के बिना असीमित संख्या में लिखने की अनुमति देता है।


डीआरएएम-आधारित द्रव्यमान भंडारण उपकरणों के बारे में: गीगाबाइट आई-रैम पर एक नज़र डालें (रिचार्जेबल ली-आयन बैटरी को नोट करें, जो इसे थोड़ी देर के लिए अस्थिर बनाता है)

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2017-08-30 23:06





असल में, राम सख्ती से बोलता नहीं है, अस्थिर होने की आवश्यकता है, लेकिन सुविधा के लिए हम आम तौर पर इसे इस तरह से बनाते हैं। विकिपीडिया पर चुंबकीय राम देखें (http://en.wikipedia.org/wiki/Magnetoresistive_random-access_memory) एक संभावित गैर-अस्थिर रैम प्रौद्योगिकी के लिए, हालांकि व्यावहारिक उपयोग के लिए अभी भी एक और विकास की आवश्यकता है।

असल में, डीआरएएम का लाभ आकार है। यह एक बेहद सरल तकनीक है जिसमें बहुत तेजी से पढ़ने-लिखने की विशेषताएं हैं, लेकिन परिणामस्वरूप, अस्थिर है। फ्लैश मेमोरी में विशेष रूप से विशेषताओं को पढ़ा गया है, लेकिन रैम के लिए आवश्यक चीज़ों की तुलना में तेज़ी से धीमा है।

स्टेटिक रैम में बेहद अनुकूल पठन-लेखन विशेषताएं हैं, और यह काफी कम शक्ति है, लेकिन डीआरएएम की तुलना में एक बड़ी घटक गणना है, और इसलिए यह अधिक महंगा है। (सिलिकॉन पर बड़ा पदचिह्न = अधिक असफलता + कम चिप गणना प्रति मर = अधिक लागत) यह भी अस्थिर है, लेकिन यहां तक ​​कि एक छोटी बैटरी भी इसे कुछ समय तक पावर कर सकती है, जिससे यह एक प्रकार का psudo-NVRAM बना सकता है यदि यह लागत के लिए नहीं था मुद्दा।

चाहे यह एमआरएएम या कुछ अन्य तकनीक हो, यह संभावना है कि भविष्य में किसी बिंदु पर, हमें कंप्यूटर धीमा करने वाली स्मृति संरचनाओं की वर्तमान आवश्यकता के आसपास एक रास्ता मिलेगा, हम अभी तक वहां नहीं हैं। एक बार जब युग आता है, तो भी संभव है कि डेटा को संग्रहित करने के लिए हमें अभी भी कुछ प्रकार के दीर्घकालिक विश्वसनीय (पढ़ें: धीमे) स्टोरेज माध्यम की आवश्यकता होगी।


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2017-09-02 07:53